采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件
基本信息
| 申请号 | CN200720067355.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201017889Y | 公开（公告）日 | 2008-02-06 |
| 申请公布号 | CN201017889Y | 申请公布日 | 2008-02-06 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵光平 | 申请（专利权）人 | 上海富华微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海京沪专利代理事务所 | 代理人 | 上海富华微电子有限公司;吉林华微电子股份有限公司 |
| 地址 | 200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺，属于微电子技术领域，由金属底层、N+衬底层(在IGBT功率器件中为P+衬底层)、N－外延层、P－区、P+区、N+区、热氧化SiO2栅氧层、多晶硅栅层、源栅隔离层和金属表层组成。由磷硅玻璃PSG层以单层的形式充任源栅隔离层，取代现有技术中由SiO2层和PSG层组合的结构形式，且磷硅玻璃PSG层作为生成N+区时的掺杂源，利用其中的磷向硅中的扩散形成N+区，从而有效减少了生产过程中光刻等处理的工序，既有利于降低生产成本、又有利于大幅度提高VDMOS、IGBT功率器件的工作可靠性，具有极强的实用性和经济性。 |
