一种半导体功率器件用衬底硅片
基本信息
| 申请号 | CN200820208572.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201332099Y | 公开（公告）日 | 2009-10-21 |
| 申请公布号 | CN201332099Y | 申请公布日 | 2009-10-21 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵光平 | 申请（专利权）人 | 上海富华微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海京沪专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈美英 |
| 地址 | 200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种功率半导体器件用衬底硅片的制造工艺，特征在于在原始单晶片N-基片A的背面上刻蚀设置有深度为需要扩散的N+结深的二分之一、宽度及间距与需要扩散的N+结深相符的凹槽，由于凹槽的原因，在背面上实施扩散达到N+结深设计要求厚度N+层所需的时间比不带凹槽时的时间相比可减少二分之一，相应地在正面上形成的N+层厚度可以减薄二分之一，因而可以相应地缩短扩散生成N+层的时间，节约去除正面N+层的加工时间，减薄所用原始单晶片的厚度，生产周期短且用料少，有利于降低生产成本、材料成本和提高生产率。 |
