一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺

基本信息

申请号	CN200710037558.7	申请日	-
公开（公告）号	CN101017849A	公开（公告）日	2007-08-15
申请公布号	CN101017849A	申请公布日	2007-08-15
分类号	H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/331(2006.01)	分类	基本电气元件;
发明人	邵光平	申请（专利权）人	上海富华微电子有限公司
代理机构	上海京沪专利代理事务所	代理人	上海富华微电子有限公司;吉林华微电子股份有限公司
地址	200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺，属于微电子技术领域，特征在于在源区与多晶硅栅层之间除设置有热氧化SiO₂栅氧层外，还增加设置了Si₃N₄层，两者结合构成复合栅，有助于提高栅的成品率，且源栅隔离层采用在多晶硅栅层表面上直接热氧化生成的工艺技术，利用Si₃N₄的氧化速度比多晶硅的氧化速度慢10倍以上、可以快速屏蔽栅区窗口、而在自身表面上只能生成便于去除的极薄氧化层的特点，有助于简化制造工艺、实现栅源自隔离和确保隔离层的生成。与现有技术的同类功率器件及其制造工艺技术相比，具有结构简单、工序简化，制造方便且成本低和产品质量易保证等诸多优点，具有很强的经济性和实用性。