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一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件

基本信息

申请号 CN200720067356.2 申请日 -
公开（公告）号 CN201017890Y 公开（公告）日 2008-02-06
申请公布号 CN201017890Y 申请公布日 2008-02-06
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01) 分类 基本电气元件;
发明人 邵光平 申请（专利权）人 上海富华微电子有限公司
代理机构 上海京沪专利代理事务所 代理人 上海富华微电子有限公司;吉林华微电子股份有限公司
地址 200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件，属于微电子技术领域，特征在于在源区与多晶硅栅层之间除设置有热氧化SiO2栅氧层外，还增加设置了Si3N4层，两者结合构成复合栅，有助于提高栅的成品率，且源栅隔离层采用在多晶硅栅层表面上直接热氧化生成的工艺技术，利用Si3N4的氧化速度比多晶硅的氧化速度慢10倍以上、可以快速屏蔽栅区窗口、而在自身表面上只能生成便于去除的极薄氧化层的特点，有助于简化制造工艺、实现栅源自隔离和确保隔离层的生成。与现有技术的同类功率器件及其制造工艺技术相比，具有结构简单、工序简化，制造方便且成本低和产品质量易保证等诸多优点，具有很强的经济性和实用性。