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采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺

基本信息

申请号 CN200710037559.1 申请日 -
公开（公告）号 CN100477270C 公开（公告）日 2009-04-08
申请公布号 CN100477270C 申请公布日 2009-04-08
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 邵光平 申请（专利权）人 上海富华微电子有限公司
代理机构 上海京沪专利代理事务所 代理人 上海富华微电子有限公司;吉林华微电子股份有限公司
地址 200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺，属于微电子技术领域，由金属底层、N+衬底层(在IGBT功率器件中为P+衬底层)、N-外延层、P-区、P+区、N+区、热氧化SiO2栅氧层、多晶硅栅层、源栅隔离层和金属表层组成。由磷硅玻璃PSG层以单层的形式充任源栅隔离层，取代现有技术中由SiO2层和PSG层组合的结构形式，且磷硅玻璃PSG层作为生成N+区时的掺杂源，利用其中的磷向硅中的扩散形成N+区，从而有效减少了生产过程中光刻等处理的工序，既有利于降低生产成本、又有利于大幅度提高VDMOS、IGBT功率器件的工作可靠性，具有极强的实用性和经济性。