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一种硅电容麦克风

基本信息

申请号 CN201410666070.0 申请日 -
公开（公告）号 CN105681990B 公开（公告）日 2019-09-10
申请公布号 CN105681990B 申请公布日 2019-09-10
分类号 H04R19/04 分类 电通信技术;
发明人 万蔡辛;杨少军 申请（专利权）人 深圳市共达电声科技有限公司
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 代理人 共达电声股份有限公司;深圳市共达电声科技有限公司
地址 261200 山东省潍坊市坊子区凤山路68号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种硅电容麦克风，包括基板、振膜和背极，所述基板上设有一个声腔；所述振膜位于所述声腔上部，被声压波激发时产生机械振动；所述背极与所述振膜之间设置有固定的气隙，所述振膜、所述背极与所述气隙共同形成电容器；其中，还包括固定连接在所述振膜和所述背极之间的一个或多个绝缘的中部连接，所述一个或多个绝缘的中部连接将所述振膜分为多个振膜单元；且所述背极由柔性材料构成。本发明能在现有工艺水平下，提高硅电容麦克风的灵敏度、线性度、信噪比、敏感电容、动态响应等指标，拓宽产品的应用场合，增加产品竞争力。