功率半导体器件

基本信息

申请号 CN201820967474.7 申请日 -
公开(公告)号 CN208271906U 公开(公告)日 2018-12-21
申请公布号 CN208271906U 申请公布日 2018-12-21
分类号 H01L29/78;H01L23/552 分类 基本电气元件;
发明人 李述洲;王兴龙;徐向涛;刘道广;万欣;晋虎 申请(专利权)人 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
代理机构 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
地址 405200 重庆市梁平县梁平工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 一种功率半导体器件,包括:第一类型掺杂的半导体层;位于所述半导体层表面的栅极结构;位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区;位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。