功率半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201820977290.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208315553U | 公开（公告）日 | 2019-01-01 |
| 申请公布号 | CN208315553U | 申请公布日 | 2019-01-01 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L23/552 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李述洲;王建平;张力;刘道广;万欣;高良 | 申请（专利权）人 | 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 地址 | 405200 重庆市梁平县梁平工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区，所述载流子吸收区包括多个阵列排列的子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。 |
