功率半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910068469.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109830440A | 公开（公告）日 | 2019-05-31 |
| 申请公布号 | CN109830440A | 申请公布日 | 2019-05-31 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I; H01L21/285（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李述洲; 李豪; 高良; 万欣 | 申请（专利权）人 | 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆平伟实业股份有限公司; 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司; 浙江清华长三角研究院 |
| 地址 | 405200 重庆市梁平县梁平工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，先在硅衬底表面用高温过程形成体区、源区，并在栅氧化层形成前先在硅衬底表面形成氮氧化硅层，形成氮氧化硅‑硅界面，能够减少氧化层缺陷、界面陷阱，降低器件在辐射条件下失效的几率，提高形成的半导体器件抗辐射总剂量效应的性能。 |
