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功率半导体器件及其形成方法

基本信息

申请号 CN202010697369.8 申请日 -
公开（公告）号 CN111785784A 公开（公告）日 2020-10-16
申请公布号 CN111785784A 申请公布日 2020-10-16
分类号 H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 晋虎 申请（专利权）人 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
代理机构 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 代理人 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
地址 314000浙江省嘉兴市南湖区亚太路705号创新大厦A座1613室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开一种功率半导体器件及其形成方法，所述功率半导体器件的形成方法包括：提供第一类型掺杂的衬底；在所述衬底表面形成具有第一开口的第一图形化掩膜层；沿所述第一开口对所述衬底进行第一离子注入及扩散处理，形成第二类型掺杂的体区；在所述第一开口内形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层与两侧的第一图形化掩膜层之间具有第二开口；沿所述第二开口对所述衬底进行第二离子注入及扩散处理，形成位于所述体区内第一类型掺杂区。上述方法形成的功率半导体器件的阈值电压一致性和均匀性更好。