功率半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811544082.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109786465A | 公开（公告）日 | 2019-05-21 |
| 申请公布号 | CN109786465A | 申请公布日 | 2019-05-21 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李述洲; 孙永生; 万欣; 晋虎; 高良 | 申请（专利权）人 | 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆平伟实业股份有限公司; 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 地址 | 405200 重庆市梁平区梁平工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，包括半导体层、体区、源区、载流子吸收区、栅极机构及及导体连接结构，所述导体连接结构分别与所述载流子吸收区和所述源区接触，使所述载流子吸收区与所述源区电连接。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。本发明的功率半导体器件及其制造方法可提高功率半导体器件的抵抗单粒子烧毁效应(Single Event Burnout，SEB)及单粒子栅穿效应(Single Event Gate Rupture，SGER)的能力。 |
