一种功率半导体器件制造方法及功率半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201910157115.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109768092A | 公开（公告）日 | 2019-05-17 |
| 申请公布号 | CN109768092A | 申请公布日 | 2019-05-17 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李述洲; 晋虎; 李豪; 万欣 | 申请（专利权）人 | 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆平伟实业股份有限公司; 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 地址 | 405200 重庆市梁平县梁平工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种功率半导体器件制造方法，包括：提供衬底及第一掺杂层，在所述第一掺杂层表面进行掺杂并形成第二掺杂层；在所述第二掺杂层上进行刻蚀并形成器件沟槽；在所述器件沟槽内堆叠栅极；以及在所述第一掺杂层上堆叠肖特基势垒层以及金属层；在不改变掩模版或者光刻胶位置以及不改变制程过程中光刻次数的情况下进行第二掺杂层掺杂，并形成PN结，降低了工艺难度，提高良品率；具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；而且第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。 |
