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纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法

基本信息

申请号 CN201810679689.3 申请日 -
公开（公告）号 CN108821776A 公开（公告）日 2018-11-16
申请公布号 CN108821776A 申请公布日 2018-11-16
分类号 C04B35/573;C04B35/622 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 郭兴忠;王奇玄;黄凯越;高黎华;郑浦;杨辉 申请（专利权）人 浙江东新新材料科技有限公司
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 代理人 浙江东新新材料科技有限公司
地址 317015 浙江省台州市临海市上盘镇北洋工业园区12路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种纯碳坯体的碳化硅密封件的制备方法，包括以下步骤：1)、将石墨粉作为主原料与分散剂共同加入到占主原料质量的去离子水中，搅拌，加入粘结剂，继续搅拌，之后加入造孔剂，搅拌后倒出，得到水基纯碳料浆；2)、下将水基纯碳料浆烘干，得到纯碳粉粒，之后粉碎得到细纯碳颗粒；3)、将细纯碳颗粒放置于避光处陈腐1‑2天，干压成型，获得密封件坯体；4)、将密封件坯体和硅片按照放在真空反应烧结炉中，同时进行液相渗硅，得到含碳的碳化硅密封件。本发明由纯碳坯体利用液相渗硅的方法制备得到SiC陶瓷，降低了成本，节约了能源，且降低了制备过程的难度及复杂性。