一种高光电转换效率的HJT电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110177396.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112768549A | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN112768549A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 王锦乐;肖俊峰 | 申请（专利权）人 | 通威太阳能（眉山）有限公司 |
| 代理机构 | 安徽知问律师事务所 | 代理人 | 平静;王泽洋 |
| 地址 | 610000四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高光电转换效率的HJT电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的HJT电池包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面依次设置本征非晶硅层、SiO2层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、TCO导电层和电极；所述N型晶体硅片的背面依次设置本征非晶硅层、SiO2层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、TCO导电层和电极，非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本发明制备而成的异质结太阳电池，光电转换效率可提高至24.3％以上，短路电流和开路电压提升明显，可以有效提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。 |
