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一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110175285.2	申请日	-
公开（公告）号	CN112802910A	公开（公告）日	2021-05-14
申请公布号	CN112802910A	申请公布日	2021-05-14
分类号	H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18;H01L31/20	分类	基本电气元件;
发明人	王锦乐;肖俊峰	申请（专利权）人	通威太阳能（眉山）有限公司
代理机构	安徽知问律师事务所	代理人	平静;王泽洋
地址	610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高效硅异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的电池N型晶体硅片的正面依次设置薄层SiO2层、氢化非晶碳氧化硅薄膜层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、TCO导电层和电极；背面依次设置薄层SiO2层、氢化非晶碳氧化硅薄膜层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、TCO导电层和电极。非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本发明以氢化非晶碳氧化硅薄膜作为本征钝化层的异质结太阳电池，实现对晶硅表面优良的钝化效果，减少界面载流子复合；同时采用改进的双扩B工艺，防止B2H6掺杂时B原子向本征非晶硅层扩散带来的禁带宽度的降低和不必要的钝化膜掺杂，提升硅异质结电池的转换效率。