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双极型薄膜晶体管及其制造方法

基本信息

申请号 CN201110430883.6 申请日 -
公开（公告）号 CN103178117A 公开（公告）日 2013-06-26
申请公布号 CN103178117A 申请公布日 2013-06-26
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 洪飞;申剑锋;郭晓东;谭莉 申请（专利权）人 上海中科联和显示技术有限公司
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 姜燕;郑特强
地址 201203 上海市浦东新区碧波路572弄115号12幢2楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种双极型薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括：基板；第一半导体层，形成在基板上；层叠源极和层叠漏极，形成在第一半导体层上；层叠源极包括层叠的第一源极和第二源极，层叠漏极包括层叠的第一漏极和第二漏极；第二半导体层，导电类型与第一半导体层不同，形成在层叠源极和层叠漏极上以及层叠源极和层叠漏极之间；第一源极和第一漏极所用材料的功函数与第一半导体层的导电类型相匹配以降低电子或空穴注入的势垒；第二源极和第二漏极所用材料的功函数与第二半导体层的导电类型相匹配以降低电子或空穴注入的势垒；还包括：栅极和栅绝缘层。本发明提供的器件及方法解决了双极型TFT中电子和空穴传输不平衡的问题。