用于非平面酞菁薄膜弱外延生长的固熔体诱导层
基本信息
| 申请号 | CN201010605569.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102560632B | 公开（公告）日 | 2016-06-29 |
| 申请公布号 | CN102560632B | 申请公布日 | 2016-06-29 |
| 分类号 | C07D495/00(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 闫东航;耿延候;田洪坤;黄丽珍;申剑锋;郭晓东 | 申请（专利权）人 | 上海中科联和显示技术有限公司 |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴世华;冯志云 |
| 地址 | 130103 吉林省长春市高新区顺达路333号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层以及在该固熔体诱导层上弱外延生长形成的非平面酞菁薄膜及包含该非平面酞菁薄膜的有机薄膜晶体管。固熔体诱导层是由通式I和II所示种的任意两种诱导层分子： |
