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场效应晶体管互补反相器及其制备方法

基本信息

申请号 CN201110440844.4 申请日 -
公开（公告）号 CN103178060A 公开（公告）日 2013-06-26
申请公布号 CN103178060A 申请公布日 2013-06-26
分类号 H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 洪飞;张其国;谭莉;郭晓东;申剑锋 申请（专利权）人 上海中科联和显示技术有限公司
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 吴世华;张龙哺
地址 201203 上海市浦东新区碧波路572弄115号12幢2楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种场效应晶体管互补反相器，包括：基板、N型场效应晶体管、与该N型场效应晶体管成对设置的P型场效应晶体管，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管共用一个栅电极并作为该互补反相器的输入端，该N型场效应晶体管的漏极和P型场效应晶体管的漏极连接作为该互补反相器的输出端；该基板上设有多个垂直分布的器件层，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于不同的器件层。采用了上述结构的互补反相器进一步降低了互补反相器的占用面积，从而可以提高集成电路的集成度。本发明还公开了一种制备场效应晶体管互补反相器的方法。