用于非平面金属酞菁弱外延生长薄膜的诱导层材料
基本信息
| 申请号 | CN200910200459.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101955491A | 公开（公告）日 | 2011-01-26 |
| 申请公布号 | CN101955491A | 申请公布日 | 2011-01-26 |
| 分类号 | C07D495/04(2006.01)I;C07D333/76(2006.01)I;C07D333/08(2006.01)I;C07C15/30(2006.01)I;C07C15/14(2006.01)I;C07C25/18(2006.01)I;C07C25/22(2006.01)I | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 闫东航;耿延候;田洪坤;潘峰;黄丽珍 | 申请（专利权）人 | 上海中科联和显示技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海市光大律师事务所 | 代理人 | 崔维;臧云霄 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区碧波路572弄115号12幢2 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及用于制备非平面金属酞菁弱外延生长薄膜的诱导层材料。诱导层材料特征在于所述的诱导层材料是用芳香共轭基团替换六联苯中间的苯环，用氟取代六联苯两端苯环上的氢，进而通过改变芳香共轭基团的尺寸大小或线性程度，以及变化两端苯环的极性，最终实现分子之间相互作用的调节，使其(001)晶面的晶胞参数与六联苯(001)晶面的晶胞参数之间产生差异，达到诱导非平面金属酞菁弱外延生长的效果。 |
