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用于非平面酞菁薄膜弱外延生长的固熔体诱导层

基本信息

申请号 CN201010605569.2 申请日 -
公开（公告）号 CN102560632A 公开（公告）日 2012-07-11
申请公布号 CN102560632A 申请公布日 2012-07-11
分类号 C30B25/02(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 闫东航;耿延候;田洪坤;黄丽珍;申剑锋;郭晓东 申请（专利权）人 上海中科联和显示技术有限公司
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 吴世华;冯志云
地址 201203 上海市浦东新区碧波路572弄115号22幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层以及在该固熔体诱导层上弱外延生长形成的非平面酞菁薄膜及包含该非平面酞菁薄膜的有机薄膜晶体管。固熔体诱导层是由通式I和II所示种的任意两种诱导层分子：(通式I)(通式II)在一定的衬底温度下采用共蒸镀的分子气相沉积方法制成。该固熔体诱导层具有均一结构，其晶胞参数和能级通过调节组分比例进行调控，该固熔体诱导层可弱外延生长高质量的非平面酞菁薄膜以及形成基于此薄膜的高性能晶体管器件。