一种坩埚
基本信息
| 申请号 | CN201820625498.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208501149U | 公开（公告）日 | 2019-02-15 |
| 申请公布号 | CN208501149U | 申请公布日 | 2019-02-15 |
| 分类号 | C30B28/06;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 付阔;龙立华;穆荣升;许丽丽;吴允辉;郭大为 | 申请（专利权）人 | 烟台同立高科新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 谈杰 |
| 地址 | 264000 山东省烟台市福山区英特尔大道20号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种坩埚，包括石英制成的坩埚本体，所述坩埚本体的外壁涂覆有一层涂层，所述涂层由氮化硅或碳化硅制成。本实用新型通过在坩埚外壁涂覆一层不与硅反应的涂层，一方面杜绝了裸露的坩埚外壁SiO2在高温下与硅蒸汽发生反应，另一方面隔绝了坩埚外壁SiO2与铸锭炉内的石墨件中的碳在高温下发生化学反应，从而有效阻止了多晶硅铸锭中碳、氧含量的偏高，进而使得光伏硅片的使用性能得以提高。 |
