一种多芯片三维集成扇出型封装结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111525069.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114141727A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114141727A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H01L23/31（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/54（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘吉康;马书英;王姣 | 申请（专利权）人 | 华天科技（昆山）电子有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 李小叶 |
| 地址 | 215300江苏省苏州市昆山市经济开发区龙腾路112号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多芯片三维集成扇出型封装结构及其制作方法，该封装结构包括载板和基板；载板上埋设有第一芯片，第一芯片和载板上覆盖有第一钝化膜层，第一钝化膜层上设有与第一芯片电连接的第一金属再布线层；第一金属再布线层上设有复合塑封结构；复合塑封结构中设有第二芯片；复合塑封结构上设有与第二芯片以及第一金属再布线层电连接的第二金属再布线层；第二金属再布线层上覆盖有第三钝化膜层；第三钝化膜层上设有第一信号导出结构；基板上设有第二信号导出结构以及第三金属再布线层；第一信号导出结构与基板的第三金属再布线层电连接。该封装结构采用一个硅基载板实现两层芯片的互联封装，降低了封装成本，可以实现大规模量产。 |
