一种全环绕多通道漂移区横向功率器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111458096.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113871489B | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN113871489B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姚佳飞;许天赐;郭宇锋;李曼;刘鑫;孙铭顺 | 申请（专利权）人 | 南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 石艳红 |
| 地址 | 210023江苏省南京市栖霞区仙林街道文苑路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种全环绕多通道漂移区横向功率器件及其制造方法，包括从下至上依次叠设的半导体衬底、埋层和有源区；有源区包括半导体漂移区、P型半导体区和N型半导体区；半导体漂移区包括介质层和内置在介质层中的若干个半导体通道。本发明通过在半导体通道四周填充高介电常数介质材料，形成全环绕多通道漂移区结构。全环绕介质从四个方向对漂移区中的半导体通道进行调制，使漂移区电势分布更加均匀、有效提升漂移区横向电场、器件纵向电场和器件击穿电压；多通道结构进一步增加高介电常数介质的调制面积，同时高介电常数介质有助于提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻；本发明不仅适用于硅基功率器件，也适用于宽禁带半导体功率器件。 |
