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一种LDMOS器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN201910366995.6	申请日	-
公开（公告）号	CN110120423B	公开（公告）日	2022-03-22
申请公布号	CN110120423B	申请公布日	2022-03-22
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	姚佳飞;张泽平;郭宇锋;杨可萌	申请（专利权）人	南京邮电大学南通研究院有限公司
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	姚姣阳
地址	226000江苏省南通市港闸区新康路33号
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种LDMOS器件，包括半导体衬底、埋层、外延层、源极金属、漏极金属和场氧化层，所述外延层上设置有PN变掺杂降场层、P型半导体体区和N型半导体漏区，所述PN变掺杂降场层的左半部分为P型变掺杂区，右半部分为N型变掺杂区，所述P型变掺杂区中的P型杂质浓度从左到右逐渐减小到0 cm‑3，所述N型变掺杂区中的N型杂质浓度从右至左逐渐减小到0 cm‑3。通过在外延层内制备PN变掺杂降场层，在漂移区中部产生一个均匀的电场分布，同时消除了主结处的高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；此外，PN变掺杂降场层能够提高常规器件的漂移区浓度，有效的提高了器件的电流能力并降低器件的导通电阻。