一种蓝光/红光双色LED芯片封装结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010075461.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111261764B | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN111261764B | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L33/50（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;A01G7/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘新科;罗江流;贲建伟;贺威 | 申请（专利权）人 | 山西穿越光电科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张琳琳 |
| 地址 | 044599 山西省运城市永济市城东街道循环经济产业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种蓝光/红光双色LED芯片封装结构及制备方法，其中封装结构包括：衬底；LED外延片，生成于所述衬底的表面；MoS2发光涂层，沉积于所述LED外延片表面或LED发光窗口上，所述MoS2发光涂层用于将蓝光转换成红光。本发明在LED外延片表面或LED发光窗口上沉积MoS2发光涂层，利用MoS2发光涂层将部分LED外延片发出的蓝光转换为红光，由于MoS2材料特定的禁带宽度以及良好的透光性，极大的降低了光子在吸收转换过程中的损失，使器件发光全部处于植物高效吸收范围内，节省能源。 |
