一种氮化镓衬底上反相器和环形振荡器
基本信息
| 申请号 | CN202220394893.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216773248U | 公开（公告）日 | 2022-06-17 |
| 申请公布号 | CN216773248U | 申请公布日 | 2022-06-17 |
| 分类号 | H01L27/085（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁烨;张元雷;朱昱豪;刘雯 | 申请（专利权）人 | 西交利物浦大学 |
| 代理机构 | 苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化镓衬底上反相器和环形振荡器，包括：Si衬底；GaN缓冲层，形成于所述Si衬底上；GaN沟道层，形成于所述GaN缓冲层上；AlGaN势垒层，形成于所述GaN沟道层上；E‑mode器件和D‑mode器件，形成于所述AlGaN势垒层上，所述E‑mode器件和所述D‑mode器件的源极和漏极区域溅射Ti/Al/Ni/Au或Ti/Al/Ni/TiN或Ti/Al/W或Ti/Al/Ni/W的金属组合，所述D‑mode器件的有源区上覆盖耐高温掩膜；电荷隧穿层，形成于所述E‑mode器件和D‑mode器件上；电荷储存层，形成于所述电荷隧穿层上；电荷阻挡层，形成于所述电荷储存层上。本实用新型的氮化镓衬底上反相器和环形振荡器，运用电荷储存层实现E‑mode器件的方式，提出了一种在氮化镓衬底上用直接耦合场效应逻辑实现反相器和环形振荡电路的全新策略。 |
