一种含有N型和P型沟道氮化镓器件的互补型逻辑电路
基本信息
| 申请号 | CN202220442646.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216849943U | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN216849943U | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | H01L27/092（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张元雷;王玉丛;孙志伟;王惟生;赵胤超;刘雯 | 申请（专利权）人 | 西交利物浦大学 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种含有N型和P型沟道氮化镓器件的互补型逻辑电路。该互补型逻辑电路包括氮化镓衬底，氮化镓衬底包括N区，N型沟道氮化镓增强型器件位于N区；N型沟道氮化镓增强型器件包括位于N区的氮化镓衬底、第一氮化镓铝缓冲层、第一P型氮化镓层、第一栅极、第一源极和第一漏极；第一氮化镓铝缓冲层包括中间区域和包围中间区域的欧姆接触区；第一P型氮化镓层包括二维电子气抑制区和高阻掺杂沟道区，高阻掺杂沟道区的电阻率大于二维电子气抑制区的电阻率；互连结构用于连接N型沟道氮化镓增强型器件和P型沟道氮化镓增强型器件。本实用新型实施例提供的技术方案实现了一种增强型的含有N型和P型沟道氮化镓器件的互补型逻辑电路。 |
