大直径高效N型单晶硅的制备工艺

基本信息

申请号 CN201910637767.8 申请日 -
公开(公告)号 CN110257901B 公开(公告)日 2021-05-28
申请公布号 CN110257901B 申请公布日 2021-05-28
分类号 C30B15/04(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I 分类 -
发明人 陈嘉豪;徐文州;陈辉;陈磊 申请(专利权)人 乐山新天源太阳能科技有限公司
代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人 李玉兴
地址 614000四川省乐山市乐山高新区建业大道888号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了能够降低对设备要求,同时提高生产效率的大直径高效N型单晶硅的制备工艺。该大直径高效N型单晶硅的制备工艺,包括步骤:S1、配料;S2、装料和熔化;S3、引晶;S4、缩颈;通过晶棒提升旋转装置提拉籽晶,形成晶体;S5、放肩;将晶体控制到所需的目标直径;S6、等径生长;S7、通过二次加料装置向坩埚内添加熔融硅料;S8、收尾:晶体直径逐渐缩小,离开熔体;S9、降温:降低温度,逐渐冷却温度。采用该大直径高效N型单晶硅的制备工艺,能够小型化生产设备,能够降低生产设备的成本,降低能耗,提高生产效率,便于生产。