大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置
基本信息
| 申请号 | CN201921105801.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210341126U | 公开（公告）日 | 2020-04-17 |
| 申请公布号 | CN210341126U | 申请公布日 | 2020-04-17 |
| 分类号 | C30B29/06;C30B30/04;C30B15/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈嘉豪;徐文州;耿荣军;喻先丽 | 申请（专利权）人 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
| 地址 | 614000 四川省乐山市乐山高新区建业大道888号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种结构简单，便于控制磁场强度，并且能避免电阻加热装置对磁场影响的大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置。该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，包括炉体；所述炉体上方设置有上炉腔；所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托；石墨托下方设置有底部旋转支撑杆；所述炉体的炉膛两侧均设置有磁场发生装置；所述磁场发生装置上设置有U型导磁体；所述U型导磁体一端与磁场发生装置连接，另一端延伸到坩埚与加热装置之间；所述U型导磁体的外表面上设置有隔热层；所述U型导磁体延伸到坩埚与加热装置之间的部分设置有均匀分布的导磁块。采用该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置，能够明显地改善单晶的均匀性，降低缺陷密度。 |
