连续直拉单晶棒工艺

基本信息

申请号 CN202010983585.9 申请日 -
公开(公告)号 CN112048758A 公开(公告)日 2020-12-08
申请公布号 CN112048758A 申请公布日 2020-12-08
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陈五奎;陈昊;陈嘉豪;陈辉 申请(专利权)人 乐山新天源太阳能科技有限公司
代理机构 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 代理人 乐山新天源太阳能科技有限公司
地址 614000四川省乐山市乐山高新区建业大道888号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种能够实现单晶硅棒连续成晶,保证硅棒品质的连续直拉单晶棒工艺。该连续直拉单晶棒工艺采用连续直拉单晶炉,还包括以下步骤:S1、向双层坩埚的内层坩埚筒内添加硅料;S2、通过惰性气体进口通入惰性气体,然后由惰性气体吸气口吸出惰性气体;S3、通过石墨加热托盘、加热电阻实现对双层坩埚的加热;S4、通过拉伸装置对单晶硅棒进行拉伸成形;同时通过所述硅料加料装置向外层坩埚内添加颗粒硅料;S5、保证炉内的压力,保证炉体内的温度;S6、通过拉伸装置实现单晶硅的连续直拉。采用该连续直拉单晶棒工艺能够提高拉晶速度,增加硅棒单位时间产出,有效的降低产能,提高成晶率。