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连续拉晶双层坩埚

基本信息

申请号 CN202022051831.5 申请日 -
公开（公告）号 CN213203273U 公开（公告）日 2021-05-14
申请公布号 CN213203273U 申请公布日 2021-05-14
分类号 C30B15/12;C30B29/06 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陈五奎;陈昊;陈嘉豪;陈辉 申请（专利权）人 乐山新天源太阳能科技有限公司
代理机构 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） 代理人 李玉兴
地址 614000 四川省乐山市乐山高新区建业大道888号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种便于硅料连续添加，能够有效避免硅料添加影响单晶拉伸品质的连续拉晶双层坩埚。该连续拉晶双层坩埚，包括外层坩埚和内层坩埚筒；所述内层坩埚筒位于外层坩埚内；所述内层坩埚筒的侧壁外侧与外层坩埚的内壁之间具有进料夹层；所述外层坩埚的下端具有环形锥面；所述内层坩埚筒的下端与环形锥面的内壁连接；所述内层坩埚筒的下端与环形锥面之间设置有通孔；所述内层坩埚筒的侧壁内设置有隔热层；所述外层坩埚内壁的中间位置以及内层坩埚筒的外壁上均设置有安装凸台；所述安装凸台上安装有漏板。采用该连续拉晶双层坩埚能够实现单晶硅的连续拉伸；能够有效的提高生产效率，保证产品质量。