自钳位IGBT器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911281948.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110993516A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN110993516A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L23/49;H01L25/18;F02P3/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙永生;钟圣荣;周东飞 | 申请（专利权）人 | 上海贝岭股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 薛琦;林嵩 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区宜山路810号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种自钳位IGBT器件及其制造方法，所述制造方法包括：在IGBT芯片上制作第一打线窗口；在第一芯片上制作第二打线窗口和第三打线窗口；将所述第一芯片叠放在所述IGBT芯片表面；将所述第一打线窗口和所述第二打线窗口进行打线连接，并将所述第三打线窗口和所述IGBT芯片的栅极进行打线连接。本发明在不需要调整IGBT芯片及晶体管（如二极管）的设计规则及工艺的条件下，大大地降低了制造工艺难度，降低了器件的设计要求，提高了IGBT芯片和晶体管芯片结构设计及加工自由度，且在实现自钳位保护功能的同时也保证了IGBT有源区面积不损失；另外，制造流程具有一定的通用性，另外也简化了制造流程。 |
