一种防止PECVD镀膜边缘发红的石墨框装置
基本信息
| 申请号 | CN202022487454.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214004779U | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN214004779U | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | C23C16/458（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/511（2006.01）I;H01L21/673（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 贾佳;刘海涛;杜敬良;王丽婷;黄惜惜;黄国平 | 申请（专利权）人 | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 |
| 代理机构 | 镇江基德专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邓月芳 |
| 地址 | 212000江苏省镇江市新区北山路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种防止PECVD镀膜边缘发红的石墨框装置，包括石墨框，石墨框内设有边缘边框和中间边框，所述的中间边框呈纵横交错式分布，中间边框与边缘边框之间相交形成若干个载片单元，所述的载片单元用于承载硅片，载片单元的排数为E，列数为F，所述的E和F均为大于等于2的整数，所有的载片单元的四周均设有下沉槽，边缘边框的外侧设有一圈凹槽，所述的凹槽位于石墨框内侧，凹槽距边缘载片单元的间距为2～4mm，凹槽的深度大于2mm，凹槽的深度小于石墨框的厚度，凹槽的左右两侧设有定位孔。本实用新型可有效增加载板边缘位置等离子体的碰撞几率，有效解决边缘发红现象，不仅可用于有勾点的石墨框还可用于无勾点的石墨框。 |
