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一种磁极间距可调的MCZ永磁场装置

基本信息

申请号	CN200920201679.5	申请日	-
公开（公告）号	CN201670889U	公开（公告）日	2010-12-15
申请公布号	CN201670889U	申请公布日	2010-12-15
分类号	C30B15/00(2006.01)I;C30B30/04(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	马恩高;张伟峰;严恝俊;李昆仑	申请（专利权）人	浙江鑫磁谷材料科技股份有限公司
代理机构	杭州九洲专利事务所有限公司	代理人	嘉兴市中科光电科技有限公司;浙江鑫磁谷材料科技有限公司
地址	314006 浙江省嘉兴市亚太路778号5号楼B-403
法律状态	-

摘要

一种磁极间距可调的永磁场装置，它主要由左右磁极、屏蔽罩、轭板、过桥板、连接板、导向杆、调节手轮构成，所述的轭板有两块，分别安装固定有左磁极和右磁极，并且所述的左磁极和右磁极正对面安装，磁极相对并相吸；所述的左右两轭板通过连接板和过桥板连接，构成一个完整的磁系回路；所述的左磁极和右磁极都由若干块稀土钕铁硼拼接构成，其四周分别安装有防止漏磁的屏蔽体，所述的左磁极被拼接成可移动式贴近于单晶炉的圆弧形磁极；本实用新型通过永磁场装置有效的抑制硅熔体热对流，降低单晶硅中的氧浓度，提高太阳能硅片的性能；磁场装置左磁极成弧形，实现了中心距适量可调，优化了工作区的磁力线分布；整个永磁场装置不消耗水和电，免维护，没有噪音污染；整体结构简单、成本低、使用方便，具有广泛的前景。