一种可调节表面电场分布的光学器件及其调节方法
基本信息
| 申请号 | CN201810404996.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108519635B | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN108519635B | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | G02B5/00（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 赵文静 | 申请（专利权）人 | 西安柯莱特信息科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710000 陕西省西安市西咸新区沣西新城西部云谷2号楼蒜泥空间B-051号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种光学器件，具体涉及一种可调节表面电场分布的光学器件及其调节方法，包括基底层和平面结构，平面结构由多个结构相同的纳米周期单元按矩形周期阵列平面连接而成，每个周期单元包括一个结构单元，每个结构单元由一圆形金属块和一环形金属块组合而成，圆形金属块置于环形金属块内腔，圆形金属块圆心与环形金属块圆心不在同一位置，环形金属块由贵金属材料制成，圆形金属块由金属镁制成。该结构可以通过控制圆形金属块材料性质的转化来调节表面电场分布特性。后期使用时只需要根据需要进行吸氢或脱氢作用即可实现对该结构表面电场分布和局域电场共振模式的调节，制备和调节方法简单快捷，易于操作。 |
