一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110541343.9 申请日 -
公开(公告)号 CN113506852A 公开(公告)日 2021-10-15
申请公布号 CN113506852A 申请公布日 2021-10-15
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王超;郭铁 申请(专利权)人 宣城先进光伏技术有限公司
代理机构 北京风雅颂专利代理有限公司 代理人 袁林涛
地址 242000安徽省宣城市飞彩办事处清流路99号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种VOx‑APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法,包括基底、空穴传输层VOx、界面修饰层APPA、钙钛矿吸收层MAPbI3、电子传输层PCBM以及金属电极Ag,所述空穴传输层VOx设置在基底的上表面,所述界面修饰层APPA设置在空穴传输层VOx的上表面,所述钙钛矿吸收层MAPbI3设置在界面修饰层APPA的上表面,所述电子传输层PCBM设置在钙钛矿吸收层MAPbI3的上表面,所述金属电极Ag设置在电子传输层PCBM的上表面;本发明提供的方法具有操作简单、成本低的优点,改善了VOx薄膜表面的形貌,同时使其与钙钛矿吸收层的能级更加匹配,得到的钙钛矿薄膜具有表面覆盖率高,没有针孔,晶粒更大的性质,且成品具有较高的光电转换效率。