ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110055819.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382572B | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN112382572B | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨乐;李铁生;楼颖颖;李恩求;刘琦 | 申请（专利权）人 | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李罡 |
| 地址 | 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法，在Si衬底片表面生长N型外延层，在外延层表面形成硬掩膜；刻蚀出深沟槽，内填硼硅玻璃BSG；将沟槽内BSG腐蚀至沟槽指定位置，进行第二层氮化硅淀积和厚氧化层淀积；沟槽内回填源极多晶硅并回刻；去除露出的厚氧化层；将沟槽内源极多晶硅刻蚀至沟槽指定位置；形成源极多晶硅氧化层，同时使硼硅玻璃BSG中硼Boron扩散至深沟槽外围的Si材料中形成P柱；去除露出的氮氧化物、薄氧化物；形成栅极氧化层,回填栅极多晶硅并回刻，形成器件的栅极；开接触孔和金属布线。本发明在暴露的硼硅玻璃上方淀积了高密度氮化硅，能有效阻止硼在后续的高温炉管工艺过程中析出。 |
