基于元胞结构的沟槽型肖特基二极管器件结构及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110448706.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113054039A | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN113054039A | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李恩求;李铁生;杨乐;刘琦 | 申请（专利权）人 | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李罡 |
| 地址 | 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及基于元胞结构的沟槽型肖特基二极管器件结构，所述器件采用蜂窝状点阵排列的元胞结构，在整个元胞区上方覆盖有肖特基势垒金属，元胞区相邻沟槽之间不连通，肖特基势垒之间连通。本发明的元胞结构采用蜂窝式的沟槽分布，硅表面沟槽与沟槽之间除了沟槽侧壁的氧化物外，其余部分均为肖特基接触区域，这样在保证减小表面电场的前提下，将肖特基接触区域最大化，从而实现用相同的芯片面积达到VF大幅下降，进而降低二极管导通损耗的效果。 |
