超结MOSFET结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811187899.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109494246B | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN109494246B | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖晓军;周宏伟;张园园;徐永年;任文珍 | 申请（专利权）人 | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李罡 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种超结MOSFET结构及其制造方法，该方法通过对具有高深宽比超结结构的P柱进行间隔刻蚀，刻蚀后再进行N型外延，使被刻蚀的P柱浮置于Pbody下方，为上方的Pbody浓度调整及阈值电压调整提供可优化空间，减少pbody间的颈区电阻。本发明结构的栅漏电容相对常规超结结构偏大，并且随漏源电压变化平缓，可有效降低器件的EMI影响，同时本发明结构可有效降低器件的Coss,减小Eoss,提升器件工作的转换效率，为阈值电压及雪崩耐久性的优化调整提供了设计和工艺空间。 |
