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改善栅极氧化层质量的屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法

基本信息

申请号 CN201810062556.1 申请日 -
公开（公告）号 CN108364870B 公开（公告）日 2021-03-02
申请公布号 CN108364870B 申请公布日 2021-03-02
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周宏伟;杨乐;刘挺;岳玲 申请（专利权）人 龙腾半导体股份有限公司
代理机构 西安新思维专利商标事务所有限公司 代理人 李罡
地址 710000 陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种改善栅极氧化层质量的屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法，通过在深槽内填充并回刻蚀多晶硅，使两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用氧化层淀积加厚栅极源极间氧化层，最后通过栅极热氧化和多晶硅淀积，共同构成屏蔽栅沟槽器件。本发明通过一次能氧化层各向异性淀积的特殊条件高密度等离子体化学气相淀积对栅极源极间氧化层厚度和形貌进行调整，可形成高质量栅极源极间氧化层，可以用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不增加的情况下改善源极多晶硅与栅极多晶硅之间氧化层质量，优化产品的参数，提高成品率和可靠性，最终达到降低芯片成本。