沟槽型MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202010875611.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114122130A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114122130A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 楼颖颖;李铁生;杨乐 | 申请（专利权）人 | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 吴世华;陶金龙 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1239弄1号3楼TC-313单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽型MOSFET器件，包括：位于衬底上的第一掺杂类型的第一外延层；第二掺杂类型的第一导电层，所述第二掺杂类型的第一导电层位于第一掺杂类型的第一外延层内，且所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；第一掺杂类型的第二外延层，所述第一掺杂类型的第二外延层位于所述第一掺杂类型的第一外延层的表面和所述第二掺杂类型的第一导电层的表面；体区；位于所述第一掺杂类型的第二外延层内的第二导电层，所述第二导电层连通所述第二掺杂类型的第一导电层和所述体区。基于本发明的沟槽型MOSFET器件，提高沟槽型MOSFET器件的耐压BV，减小Crss/Ciss，进而提升沟槽型MOSFET器件的可靠性。 |
