电荷平衡沟槽超势垒整流器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011361521.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112510079A | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN112510079A | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张军亮;张园园;李铁生;徐西昌 | 申请（专利权）人 | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李罡 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及电荷平衡沟槽超势垒整流器及其制造方法，所述整流器包括第一掺杂类型重参杂衬底和其上方的第一掺杂类型轻掺杂外延层；第一掺杂类型轻掺杂外延层内侧为第一沟槽填充物，第一沟槽填充物上方为第二掺杂类型阱区、第一掺杂类型离子注入重参杂区和第二掺杂类型注入区离子注入重参杂区；第一掺杂类型轻掺杂外延层中为第二沟槽侧壁的栅氧化物和第二沟槽的填充物。本发明的整流器通过沟槽结构，消除传统平面SBR器件的JFET区电阻；引入了电荷平衡结构漂移区，提高了SBR器件耐压漂移区的掺杂浓度，进一步降低了SBR的通态电阻。 |
