沟槽型MOSFET器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010875588.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114122129A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114122129A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 楼颖颖;李铁生;杨乐 | 申请（专利权）人 | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 吴世华;陶金龙 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1239弄1号3楼TC-313单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽型MOSFET器件，包括：位于衬底上的第一掺杂类型的外延层；沟槽，所述沟槽位于所述第一掺杂类型的外延层内；体区，所述体区位于所述第一掺杂类型的外延层内的上部区域且与所述沟槽相邻；第二掺杂类型的浮动区，所述第二掺杂类型的浮动区位于所述第一掺杂类型的外延层内，且邻近所述沟槽的底部以及邻近所述沟槽的底部侧壁；所述第二掺杂类型的浮动区与所述体区之间电接触，且所述第二掺杂类型的浮动区与所述体区为等电位。基于本发明的沟槽型MOSFET器件，提高沟槽型MOSFET器件的耐压BV，减小Crss/Ciss，进而提升沟槽型MOSFET器件的可靠性。 |
