一种降低编程干扰的控制方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN201810963290.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109378028B | 公开（公告）日 | 2019-02-22 |
| 申请公布号 | CN109378028B | 申请公布日 | 2019-02-22 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 梁轲;侯春源 | 申请（专利权）人 | 长存创芯（上海）集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 长江存储科技有限责任公司 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种降低编程干扰的控制方法，所述方法应用于存储器件，所述方法包括：在预充电阶段，在所述存储器件的底栅上加载第一预设电位；在所述存储器件的P阱上加载第二预设电位；并且所述第一预设电位低于所述第二预设电位，以使所述存储器件的沟道孔的电位基于所述第一预设电位和所述第二预设电位之间的电位差而提升。 |
