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一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法

基本信息

申请号	CN202010205348.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113437183A	公开（公告）日	2021-09-24
申请公布号	CN113437183A	申请公布日	2021-09-24
分类号	H01L31/20（2006.01）I;H01L31/075（2012.01）I;H01L21/02（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	樊选东	申请（专利权）人	中建材浚鑫科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	214400江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种PECVD沉积非晶硅薄膜的方法，步骤如下：S1，以SiO2石英玻片为基板，先用洗洁剂反复擦洗，然后依次用去离子水、丙酮和无水乙醇各超声20min，采用氮气吹干；S2，夹装PI衬底到所述基板，使用PECVD设备制备正面本征非晶硅层，正面n型掺杂非晶硅层，中间i型掺杂非晶硅层，背面本征非晶硅厚度，背面p型掺杂非晶硅层；S3，磁控溅射沉积ITO薄膜，正背面ITO薄膜厚度为80nm；S4，丝网印刷正背面银金属电极，主栅宽度为0.1～2mm，主栅数目为2～20，正背面银副栅线宽度为20～70μm，线数为80～250；S5，固化烧结使金属与硅之间形成良好的欧姆接触；S6，进行电池的电性能测试，测量电池量产平均效率。