一种抗PID太阳能电池减反射膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010205410.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437175A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437175A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 樊选东 | 申请（专利权）人 | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214400江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种抗PID太阳能电池减反射膜的制备方法，镀膜工艺如下：通过氧气迅速氧化电池片表面形成一层均匀的SiO2薄膜；将电池片放入氧化器内，氧化器通入高纯氧，电池片经过滚轮通过氧化器；在SiO2薄膜上镀第一层SiNx膜；将电池片插入石墨舟后送入炉管，设置炉管温度450℃，开始进行镀SiNx膜工艺，具体步骤为：（1）抽真空；（2）镀膜，通入反应气体SiH4和NH3，SiH4流量900sccm，NH3流量3800sccm，反应压力1600Pa，高频功率6500W，高频占空比40：400，沉积时间190s；（3）稳压；在第一层SiNx膜上镀第二层SiNx膜；具体步骤为：（1）镀膜，工艺设置温度450℃，通入SiH4和NH3，SiH4流量700sccm，NH3流量7000sccm，反应压力1600Pa，高频功率6500W，高频占空比40：400，沉积时间515s；（2）排废气取出石墨舟。 |
