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可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池及其制作方法

基本信息

申请号 CN201910972959.4 申请日 -
公开（公告）号 CN111029436B 公开（公告）日 2021-09-21
申请公布号 CN111029436B 申请公布日 2021-09-21
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/054（2014.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 康海涛;郭万武;吴中亚 申请（专利权）人 中建材浚鑫科技有限公司
代理机构 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人 张霞
地址 214400江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池的制作方法，包括如下步骤：步骤S1，表面织构；步骤S2，高温磷扩散；步骤S3，周边刻蚀及背面抛光；步骤S4，正、背面二氧化硅层制备；步骤S5，背面氧化铝层制备；步骤S6，背面碳氮化硅层制备；步骤S7，背面氮氧化硅叠层制备；步骤S8，正面氮氧化硅层制备；步骤S9，背面激光开槽；步骤S10，正、背面电极制备。本发明通过改变电池膜层结构、制作原材料及相应的工艺优化方法来减少氢源来源，降低太阳能电池片中的多余氢原子，达到改善太阳能电池LeTID现象的技术效果。