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单晶硅多参量差压传感器

基本信息

申请号	CN201920777658.1	申请日	-
公开（公告）号	CN209961384U	公开（公告）日	2020-01-17
申请公布号	CN209961384U	申请公布日	2020-01-17
分类号	G01L13/06	分类	测量；测试;
发明人	陈立新;牟恒	申请（专利权）人	江苏德新科智能传感器研究院有限公司
代理机构	南京睿之博知识产权代理有限公司	代理人	江苏德新科智能传感器研究院有限公司
地址	211000 江苏省南京市江宁区迎翠路7号（江宁开发区）
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种单晶硅多参量差压传感器，包括芯片管座；芯片管座下端安装槽内固定有绑定板，绑定板上具有差压芯片、静压芯片、温度芯片，差压芯片和静压芯片为单晶硅芯片，正压端朝下、负压端朝上，最大耐压值为10MPa；芯片管座上部设有正、负压充油导管；芯片管座中部设有相互隔离的正、负压通道，正压通道下端连通差压芯片和静压芯片正压端，正压通道上端连接正压充油导管，负压通道下端连接差压芯片负压端，负压通道上端连接负压充油导管；芯片管座设置有电性接口，电性接口直接贯穿芯片管座和绑定板。该传感器芯片耐压能力达到10MPa，无需中心膜片保护，使得静压量程和差压量程不再受限，解决了微小差压，大静压测量的问题。