首页/ 江苏德新科智能传感器研究院有限公司/ 专利详情

单晶硅高过压保护型压力传感器

基本信息

申请号 CN201920789702.0 申请日 -
公开（公告）号 CN209961389U 公开（公告）日 2020-01-17
申请公布号 CN209961389U 申请公布日 2020-01-17
分类号 G01L19/06 分类 测量；测试;
发明人 陈立新;陈坚 申请（专利权）人 江苏德新科智能传感器研究院有限公司
代理机构 南京睿之博知识产权代理有限公司 代理人 江苏德新科智能传感器研究院有限公司
地址 211100 江苏省南京市江宁区迎翠路7号（江宁开发区）
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种单晶硅高过压保护型压力传感器，包括正压本体、背压本体、管座；正压本体与外接件焊接，正压本体下端、背压本体上端设有隔离膜片，隔离膜片与正压本体、背压本体通过膜片焊环焊接形成容纳空间，正压本体上端设有管座，绑定板安装在管座下端安装槽内，传感器芯片穿过绑定板矩形孔并与绑定板绑定连接，正压本体通道上端连通传感器芯片的正压端，下端连通正压端隔离膜片，管座上设置电性接口，管座具有正压通道与背压通道，正压通道连通传感器芯片正压端、中心保护膜片，背压通道连通传感器芯片背压端、背压端隔离膜片，中心保护膜片设置在背压本体和管座之间。该压力传感器既满足密封要求又能实现与大气相通功能。