一种锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜及气敏元件以及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710327503.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107268061B | 公开（公告）日 | 2019-01-25 |
| 申请公布号 | CN107268061B | 申请公布日 | 2019-01-25 |
| 分类号 | C25D11/26;B82Y40/00;G01N27/00;G01N33/00 | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 赵春霞;徐周;邵林清;陈文;金伟 | 申请（专利权）人 | 武汉微纳传感技术有限公司 |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人 | 武汉理工大学;武汉微纳传感技术有限公司 |
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜及气敏元件以及其制备方法。本发明是以阳极氧化法原位制备锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜，通过热处理结合阳极氧化将其剥离，并转移至陶瓷管上制作成气敏元件。本发明制备过程简单、成本较低、工艺参数便于控制，制备的锰掺杂二氧化钛纳米管阵列膜结构规整，纳米管尺寸均一，光学带隙降低，气敏性能显著提升。 |
